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Caractéristiques techniques
12.1.6 Interface machine du récepteur/de l'émetteur-récepteur (transceiver),
sorties à transistor relatives à la sécurité
OSSD
Sorties à transistor
Tension de commutation état haut (Uv-1 V)
Tension de commutation état bas
Courant de commutation
Courant de fuite
Capacité de charge
Inductance de charge
Résistance de fil admise pour la charge
Section de fil admise
Longueurs de fil admises entre récepteur et
charge (pour 1 mm²)
Largeur d'impulsion d'essai
Espacement entre impulsions d'essai
Temps de réactivation OSSD après interrupti-
on de faisceau
Temps de réponse OSSD
*)
En cas de défaut (interruption de la ligne 0 V), les sorties se comportent comme une résistance de
120 k
comme "1" logique.
**) Veuillez tenir compte des restrictions supplémentaires liées à la longueur de la ligne et au courant
de charge.
Les sorties à transistor relatives à la sécurité assurent l'atténuation des surtensions de coupure
inductive. Pour les sorties à transistor, il n'est donc pas nécessaire d'utiliser les suppresseurs de
parasites (circuits RC, varistances ou diodes de roue libre) recommandés par les fabricants des
contacteurs, vannes et autres. Ces dispositifs allongent le temps de retombée des organes de
commutation inductifs.
Table 12.1-6: Interface machine du récepteur/de l'émetteur-récepteur (transceiver),
108
avec Uv. L'automate de sécurité placé en aval ne doit pas interpréter cette situation
sorties à transistor relatives à la sécurité
2 sorties de sécurité à transistor PNP, surveil-
lance des courts-circuits, protégées contre
les courts-circuits
minimum
+18,2 V
2 mA
1 mm² avec embouts
indépendamment du faisceau et du facteur Mul-
tiScan H, voir tableaux au chap. 12.2
COMPACTplus-m
typique
+23 V
0 V
0 V
500 mA
< 2 µA
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100 ms
maximum
+28,8 V
+2,5 V
650 mA
200 µA *)
3,3 µF
2,2 H
< 1 k **)
1.5 mm²
100 m
250 µs
22 ms
-
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