Table des Matières
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Caractéristiques techniques
Limitations des cartes d'E/S haute densité
Les limitations du pouvoir de commutation des cartes de sortie transistor C200H-OD215/MD115/MD215 et le
nombre de points d'E/S utilisables des cartes C200H-ID215 et C200H-MD215 sont illustrés ci–dessous.
Pouvoir de commutation
Le pouvoir de commutation des cartes de sortie transistor C200H-OD215/MD115/MD215 dépend de la tension
d'alimentation, comme indiqué ci–dessous.
Points d'E/S utilisables (C200H-MD215)
Afin d'éviter une surchauffe des C200H-MD215 et la panne des composants internes, réduire le nombre de points
d'entrée passant simultanément sur ON. Le nombre de points qui sont simultanément sur ON dépend de la
température et de la tension d'entrée (aucune limite pour le nombre de points de sortie qui peuvent se trouver
simultanément sur ON).
Rem.: Lorsque la carte est à température ambiante, il faut environ 10 minutes pour qu'une chaleur excessive se
produise lorsque toutes les entrées sont sur ON, en conséquence, toutes les entrées peuvent passer sur
ON simultanément pour les essais.
158
100
50
16
0
0
4,5
Tension d'alimentation (V)
16
15
Tension d'entrée: 26,4
Vc.c.; 55°, 11 points
sur ON
11
10
5
Tension d'entrée: 26,4
Vc.c.; 43°, 11 points
sur ON
0
0
10
20
30
34
40
Température ambiante(°C)
10
20,4
26,4
Tension d'entrée: 26,4 Vc.c.
Tension d'entrée: 24,0 Vc.c.
43
50 55 60
Annexe B
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Chapitres
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Dépannage
