Table des Matières
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Caractéristiques techniques
4. Lorsque le dispositif de sortie (tel qu'un affichage numérique) ne dispose pas d'une résistance de
charge, il est nécessaire de l'appliquer entre la borne + de l'alimentation et chaque donnée (de 0 à 15) et
borne de sélection (de 0 à 15).
Limitations des cartes d'E/S haute densité
Les limitations du pouvoir de commutation des cartes de sortie transistor C200H-OD215/MD115/MD215 et le
nombre de points d'E/S utilisables des cartes C200H-ID215 et C200H-MD215 sont illustrés ci–dessous.
Pouvoir de commutation
Le pouvoir de commutation des cartes de sortie transistor C200H-OD215/MD115/MD215 dépend de la tension
d'alimentation, comme indiqué ci–dessous.
Carte d'E/S TTL C200H-MD501
(Utilisée comme carte d'E/S à 16 entrées et 16 sorties)
Caractéristiques de sortie
(connecteur 1)
Caractéristiques d'entrée
(connecteur 2)
Caractéristiques générales
148
100
50
16
0
0
4,5
10
Pouvoir de commutation max.
Pouvoir de commutation min.
Courant de fuite
Tension résiduelle
Temps de réponse ON
Temps de réponse OFF
Nombre de circuits
Fusibles
Puissance pour alimentation externe
Tension d'entrée nominale
Tension d'entrée de fonctionnement
Impédance d'entrée
Courant d'entrée
Tension ON
Tension OFF
Temps de réponse ON
Temps de réponse OFF
Nombre de circuits
Entrées rapides
Courant interne consommé
Poids
Dimensions
20,4
26,4
5 Vc.c. 35 mA (280 mA/commun, carte 560 mA;
résistance de sortie 4,7 kW)
Aucun
Max. 0,1 mA
Max. 0,4 V
Max. 0,2 ms
Max. 0,3 ms
2 (8 points/communs)
2 (1 fusible/commun; les fusibles ne peuvent pas être
remplacés par l'utilisateur.)
Min. 20 mA 5 Vc.c. (1,2 mA × nombre de sorties ON)
5 Vc.c.
4,5 à 5,5 Vc.c.
1,1 kW
3,5 mA (5 Vc.c.)
Min. 3,0 Vc.c.
Max. 1,0 Vc.c.
Max. 2,5 ms/15 ms (commutable)
Max. 2,5 ms/15 ms (commutable)
2 (8 points/communs)
8 points (connecteur 2 bornes de 8 à 15, si sélectionnés)
amplitude: min. 1 ms/4 ms (commutable)
Max. 180 mA 5 Vc.c.
Max. 300 g
130×34,5×100,5 (h x ép. × p, en millimètres)
Annexe B
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