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Caractéristiques techniques
10.1.6 Sorties à transistor du récepteur
OSSD
sorties à transistor
Tension de commutation état haut
Tension de commut. état bas
Courant de commutation
Courant de fuite
Capacité de charge
Inductance de charge
Résistance de conducteur admise
pour la charge
Section de conducteur admise
Récepteur Standard
Récepteur Extended
Longueur de câble admise entre
récepteur et charge
Largeur d'impulsion auxiliaire
Intervalle d'impulsion auxiliaire
Réactivation OSSD après interruption
de faisceau sans RES
Temps de réponse OSSD
)
*
En cas d'événement ou d'erreur (interruption de la ligne GND), la sortie se comporte comme une
résistance de 120 kΩ par rapport à Uv. Une interface/automate de sécurité placé en aval ne doit
pas interpréter cette situation comme un "1" logique.
**) Veuillez tenir compte des restrictions supplémentaires liées à la longueur de câble et au courant
de charge.
***) La longueur de câble spécifiée peut être limitée par les charges inductives ou capacitives.
Cette limitation peut être annulée par des résistances de terminaison (2 kΩ) montées en parallèle
de chacune des charges entre les extrémité de câble des OSSD et 0 V (Ground).
• Les sorties à transistor assurent l'étouffement des surtensions de coupure. Pour les sor-
ties à transistor, il n'est donc pas nécessaire d'utiliser les suppresseurs de parasites (cir-
cuits RC, varistances ou diodes de roue libre) recommandés par les fabricants des
contacteurs et de vannes. Ces dispositifs allongent le temps de retombée des organes
de commutation inductifs.
Tableau 10.1-6:Récepteur, sorties à transistor
48
2 sorties de sécurité à transistor PNP,
surveillance des courts-circuits, protégées
contre les courts-circuits
minimum
Uv - 1,9 V
–
–
20 µs
3,7 ms
–
dépend du nombre de faisceaux, voir tableaux
chap. 10.2
SOLID-2
typique
maximum
Uv – 1 V
Uv - 0,8 V
200 mV
+ 1 V
250 mA
< 2 µA*)
< 2,2 µF
2,0 H
–
< 50
0,25 mm² 0,14
mm²
–
100 m***)
–
230 µs
–
46 ms
100 ms
Leuze electronic
Ω
)
**
–
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