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REMARQUE :
Si ce produit est acheté avec des processeurs Intel de 6e génération ou un processeur double
cœur Celeron de 7e génération, ce produit peut atteindre une vitesse de mémoire maximale de 2 133 MHz, même si bien
que la mémoire utilisée est de 2 400 MHz.
Vérification de la mémoire système
Windows 10
1. Cliquez sur le bouton Windows, puis sélectionnez All Settings
2. Sous System (Système), cliquez sur About (À propos).
Vérification de la mémoire système dans le programme de
configuration
1. Allumez ou redémarrez votre ordinateur.
2. Effectuez l'une des actions suivantes après que le logo Dell s'affiche :
•
Sur le clavier, appuyez sur F2 jusqu'à ce que le message d'accès à la configuration du BIOS s'affiche. Pour entrer dans le menu de
sélection du démarrage, appuyez sur F12.
3. Sur le volet gauche, sélectionnez Paramètres > Général > Informations système,
Les informations de la mémoire s'affichent dans le volet droit.
DDR4
La mémoire DDR4 (double débit de données de quatrième génération) est la technologie qui succède aux mémoires DDR2 et DDR3. Plus
rapide que ses prédécesseurs, elle prend en charge jusqu'à 512 Go par rapport à la capacité maximale de la mémoire DDR3 de 128 Go par
DIMM. La mémoire vive dynamique synchrone DDR4 est munie d'un détrompeur différent de celui des modules SDRAM et DDR de
manière à empêcher l'installation du mauvais type de mémoire dans le système.
La mémoire DDR4 nécessite une tension de 1,2 V, soit 20 % de moins que la technologie DDR3 qui nécessite une tension de 1,5 V. La
mémoire DDR4 prend également en charge un nouveau mode de veille profonde qui permet à l'appareil hôte de se mettre en veille sans
nécessiter d'actualiser sa mémoire. Le mode de veille profonde devrait réduire la consommation électrique en mode veille de 40 à 50 %.
Caractéristiques clés
Le tableau ci-dessous affiche la comparaison des caractéristiques entre la mémoire DDR3 et la mémoire DDR4 :
Tableau 4. DDR4 et DDR3
Fonctionnalité/Option
Densités des puces
Débits de données
Tension
Standard de basse tension
Bancs internes
Groupes de bancs (BG)
Entrées VREF
tck - DLL activé
38
Technologies et composants
DDR3
512 Mo-8 Go
800 Mo/s-2 133 Mo/s
1,5 V
Oui (DDR3L à 1,35 V)
8
0
2 —DQS et CMD/ADDR
300 MHz-800 MHz
(Tous les paramètres) > System (Système).
DDR4
4 Go-16 Go
1 600 Mo/s-3 200 Mo/s
1,2 V
Prévu à 1,05 V
16
4
1 — CMD/ADDR
667 MHz-1,6 GHz
Avantages de la mémoire
DDR4
Plus grandes capacités DIMM
Migration à des E/S à haut débit
Demande de réduction de
l'alimentation mémoire
Réductions de l'alimentation
mémoire
Débits de données supérieurs
Accès en rafale plus rapide
VREFDQ interne maintenant
Débits de données supérieurs
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