Table des Matières
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FX
-4DA
3U
Programme pour les appareils de base FX
M8002
M8000
T0
X000
X001
X002
M8000
M22
M23
M0
Fig. 8-38 : Exemple de programme pour la configuration de fonctions étendues du
MELSEC Série FX
/FX
3G
TOP
K0
K0
TOP
K0
K38
TOP
K0
K41
TOP
K0
K43
TOP
K0
K45
TOP
K0
K47
TOP
K0
K50
TOP
K0
K51
TOP
K0
K60
TOP
K0
K40
TOP
K0
K29
TOP
K0
K28
TO
K0
K1
MOV
MOV
MOV
FX
4DA
3U-
/FX
, Modules analogiques
3U
3UC
, FX
et FX
3G
3U
Choix du mode de sortie pour les canaux 1 à 4
H2200
K1
K50
Temps d'attente après modification des modes
T0
d'entrée
Configurer le contrôle de valeur limite
H1122
K1
H-3200
K2
Valeur limite inférieure des canaux 1 et 2
Valeur limite inférieure des canaux 3 et 4
H6400
K2
H28800
K2
Valeur limite supérieure des canaux 1 et 2
Valeur limite supérieure des canaux 3 et 4
H25600
K2
Activer la correction des résistances de charge
H0011
K1
K5000
K2
Valeur de la résistance de charge pour les
canaux 1 et 2
Configurer le transfert automatique
H0007
K1
Effacer l'état des dépassements de valeur limite
H0003
K1
Effacer les messages d'erreur
K0
K1
Effacer l'état de la détection de rupture de
K0
K1
conducteur
Transfert des données de sortie dans la
D10
K4
mémoire tampon du FX
Transférer le contenu de D201 (contrôle de la
D201
K2Y000
valeur limite) vers Y000 à Y007.
Transfert du contenu de D200 (messages d'er-
D200
K4M0
reur) dans M0 à M15.
Transfert du contenu de D202 (détection de
D202
K4M20
rupture de conducteur) dans M20 à M35.
Transférer l'état de M22 (= bit 2 de D202 ou bit
2 de l'adr. de mémoire tampon 28 = rupture de
Y010
conducteur canal 3) et état de M23 (=bit 3 de
D202 ou bit 3 de l'adr. de mémoire tampon 28
= rupture de conducteur canal 4) sur la sortie
Y010
Transfert de l'état de M0 (correspond au bit 0
de D200 ou au bit 0 de l'adresse de la
Y011
mémoire tampon 29 = erreur collective) sur la
sortie Y011
Programmation
3UC
-4DA
3U
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