Manuel du Seagate Nytro 4350

Modèles

Capacité utilisateur Numéro de modèle
480 GB XP480SE30001
960 GB XP960SE30001
1920 GB XP1920SE30001

Services d'assistance de Seagate Technology

Pour l'assistance SSD interne, visitez :https://www.seagate.com/support/products/
Pour le téléchargement du micrologiciel et des outils pour l'effacement sécurisé, visitez : https://www.seagate.com/support/downloads/
Pour des informations sur le support et les services en ligne, visitez :http://www.seagate.com/contacts/
Pour des informations sur l'assistance garantie, visitez : http://www.seagate.com/support/warranty-and-replacements/
Pour des informations sur les services de récupération de données, visitez : http://www.seagate.com/services-software/seagate-recovery-services/recover/
Pour le portail des partenaires OEM et de distribution Seagate et des revendeurs Seagate, visitez : http://www.seagate.com/partners

Introduction

Le SSD Seagate Nytro 4350 est une solution de stockage rapide et fiable pour les applications de démarrage ou les charges de travail intensives en lecture dans les centres de données. Le SSD Seagate Nytro 4350 offre une interface PCIe Gen 4 x 4 avec prise en charge du protocole NVMe dans un petit facteur de forme M.2.

Tableau 1 Caractéristiques du SSD Nytro 4350

Caractéristique Description
Capacité (Utilisateur)
  • 480 GB, 960 GB, 1920 GB
Certifications, Éco-conformité
  • CE, UL, FCC, BSMI, KCC, Microsoft WHQL, VCCI, CB
  • RoHS
Dimensions
  • M.2 2280: 80 mm (± 0.15) x 22 mm (± 0.15) x 4 mm (± 0.08)
Endurance
  • 1 écriture de disque par jour (DWPD)
L'évaluation de l'endurance est valide si la durée de vie restante du SSD est > 1% (SMART E7h>1).
Voir la section Fiabilité et Endurance.
Facteur de forme
  • M.2 2280
Conformité de l'interface
  • NVMe 1.4
  • PCI Express Base 4.0
  • Voie PCIe Gen 4 x 4 et rétrocompatible avec PCIe Gen 3, Gen 2 et Gen 1
  • 8 files d'attente E/S prises en charge (1 file d'attente d'administration et 8 files d'attente E/S). Chaque file d'attente E/S prend en charge 256 entrées.
NAND
  • eTLC
Systèmes d'exploitation
  • Windows 11 Pro (64 bits), Windows Server 2019, 2022 (64 bits)
  • Ubuntu 20.04
  • CentOS 8
Performances aléatoires
  • Lecture : Jusqu'à 800 000 IOPS
  • Écriture : Jusqu'à 58 000 IOPS
Les performances réelles peuvent varier en fonction des conditions d'utilisation et de l'environnement.
Voir la section Performances.
Performances séquentielles
  • Lecture : Jusqu'à 5500 Mo/s
  • Écriture : Jusqu'à 2000 Mo/s
Les performances réelles peuvent varier en fonction de la capacité, des conditions d'utilisation et de l'environnement.
Voir la section Performances.
Consommation électrique
  • Mode actif :
  • Mode inactif :
Les résultats varient en fonction de la capacité et du mode.
Voir la section Consommation électrique.
Gestion de l'alimentation
  • Prend en charge la gestion de l'alimentation en état actif (ASPM)
Protection des données en cas de perte de courant
  • Les écritures en cours vers la NAND sont terminées en cas de perte de courant inattendue
Fiabilité
  • Protection de bout en bout du chemin des données
  • MTBF : 2 millions d'heures
  • UBER : 1 erreur pour 1017 bits lus
Sécurité
  • TCG Pyrite 2.0
Chocs et Vibrations Choc
  • Hors fonctionnement : 1 500 G, à 0,5 ms
Voir la section Conditions environnementales.
Vibration
  • Hors fonctionnement : 1,52 GRMS, (20 à 800 Hz, Fréquence)
Plage de température (Fonctionnement)
  • 0°C à 70°C
  • Capteur de température (ID d'attribut SMART C2h)
Tension
  • Min = 3,14 V
  • Max = 3,47 V
Garantie
  • Cinq ans, ou lorsque l'appareil atteint le TBW hôte, selon la première éventualité. L'évaluation de l'endurance est valide si la durée de vie restante du SSD est > 1% (SMART E7h>1).
Poids
  • 9,7 à 10,5 g

Spécifications

Modèles et Capacité

Tableau 2 Modèles et Capacité

Capacité Modèle Secteurs adressables par l'utilisateur
480 Go XP480SE30001 937,703,088
960 Go XP960SE30001 1,875,385,008
1920 Go XP1920SE30001 3,750,748,848

NOTE
À propos de la capacité :

  • Taille de secteur : 512 octets
  • Nombre de LBA adressables par l'utilisateur = (97696368) + (1953504 x (Capacité souhaitée en Go-50.0)). De l'International Disk Drive Equipment and Materials Association (IDEMA) (LBA1-03_standard.doc)

Performances

Tableau 3 Performances en lecture et écriture aléatoires et séquentielles

Paramètre 480 Go 960 Go 1920 Go
Lecture séquentielle 128 Ko (Mo/s) 5500 5500 5500
Écriture séquentielle 128 Ko (Mo/s) 700 1400 2000
Lecture aléatoire 4 Ko (IOPS) 400,000 600,000 800,000
Écriture aléatoire 4 Ko (IOPS) 17,000 34,000 58,000
Lecture aléatoire 8 Ko (IOPS) 230,000 330,000 460,000
Écriture aléatoire 8 Ko (IOPS) 9,000 18,000 30,000

NOTE
À propos des performances :

  • Les performances peuvent varier en fonction de la version du firmware du SSD, du matériel système et de la configuration.
  • Les performances sont mesurées dans les conditions suivantes
    1. Séquentiel soutenu : FIO, plage complète, QD=32
    2. Aléatoire soutenu : FIO, plage complète, QD=32, 8 workers

Latence

Tableau 4 Latence moyenne aléatoire 4 Ko QD1

Capacité Lecture (4 Ko) Écriture (4 Ko)
480 Go 75 40
960 Go 75 30
1920 Go 75 30

NOTE
À propos de la latence :

  • Les performances peuvent différer selon la configuration du flash et la plateforme.
  • Les unités sont en microsecondes.

Qualité de service

Tableau 5 Qualité de service (QoS)

Capacité QoS (99 %)
Lecture (4 Ko QD=1) Écriture (4 Ko QD=1) Lecture (4 Ko QD=32) Écriture (4 Ko QD=32)
Unité : µs
480 Go 100 60 350 1600
960 Go 100 50 300 970
1920 Go 100 50 250 850
Capacité QoS (99,99 %)
Lecture (4 Ko QD=1) Écriture (4 Ko QD=1) Lecture (4 Ko QD=32) Écriture (4 Ko QD=32)
Unité : µs
480 Go 130 130 550 1500
960 Go 130 130 550 1300
1920 Go 130 130 450 1100

NOTE
À propos de la QoS :

  • La QoS est mesurée dans les conditions suivantes
    Test FIO : taille de transfert de 4 Ko, QD=1 ou 32 sur une charge de travail de lecture et d'écriture aléatoires de 4 Ko sur toute la plage LBA des performances du SSD en régime permanent et toutes les opérations en arrière-plan s'exécutant normalement.
  • Selon les charges de travail aléatoires 4 Ko QD=1 et 32, le résultat de la QoS est le temps d'aller-retour maximal nécessaire pour que 99,0 % et 99,99 % des commandes atteignent l'hôte.
  • La QoS peut varier en fonction de la version du firmware du SSD, du matériel système et de la configuration.

Tension d'alimentation

Tableau 6 Tension d'alimentation

Paramètre Valeur nominale
Tension de fonctionnement Min = 3.14V
Max = 3.47V
Temps de montée (Max/Min) 100 ms / 0.1 ms
Temps de descente (Max/Min) 1 s / 10 ms
Temps d'arrêt minimum 1 s

NOTE
Le temps d'arrêt minimum est le temps entre la coupure de l'alimentation du SSD (Vcc

Consommation électrique

Tableau 7 Consommation électrique

480 Go 960 Go 1920 Go
Lecture active (RMS, Max) 9.4W 10.4W 11.55W
Écriture active (RMS, Max) 6.3W 8.1W 10.7W
Inactif 3.3W 3.3W 3.3W

NOTE
À propos de la consommation électrique :

  • La tension d'alimentation mesurée est de 3,3 V.
  • La consommation électrique est mesurée pendant les opérations de lecture et d'écriture séquentielles/aléatoires effectuées par FIO sur Linux.
  • La consommation électrique peut varier en fonction de la version du firmware du SSD, du matériel système et de la configuration.

Conditions environnementales

Tableau 8 Température, Humidité, Choc

Spécification Valeur
Température Température de fonctionnement
(avec flux d'air : 800 LFM à 35°C)
0°C à 70°C
Hors fonctionnement -40°C à 85°C
Humidité En fonctionnement 90 %
Hors fonctionnement (stockage) 93 %
Choc
Hors fonctionnement
1,500 G, durée 0.5 ms
Vibration
Hors fonctionnement
1.52 GRMS, (20Hz à 80Hz, Fréquence)

NOTE
La température
est mesurée sans condensation.
La température en mode de fonctionnement est mesurée par le capteur de température, attribut SMART C2h.
Un flux d'air est suggéré. Le flux d'air permet à l'appareil de fonctionner à la température appropriée pour chaque composant dans des environnements de charges de travail intenses.

NOTE
Les résultats de choc et de vibration
supposent que le SSD est monté solidement avec la vibration d'entrée appliquée au support du SSD. Ces spécifications ne couvrent pas les problèmes de connexion qui pourraient résulter de tests à ce niveau. La spécification mesurée est sous forme de valeur efficace (RMS).

  • Choc hors fonctionnement. Les limites de choc hors fonctionnement s'appliquent à toutes les conditions de manipulation et de transport. Cela inclut les SSD isolés et les SSD intégrés. Le choc peut être appliqué selon les axes X, Y ou Z.
  • Vibration hors fonctionnement. Les limites de vibration hors fonctionnement s'appliquent à toutes les conditions de manipulation et de transport. Cela inclut les SSD isolés et les SSD intégrés. La vibration peut être appliquée selon les axes X, Y ou Z.

Fiabilité et Endurance

Tableau 9 Fiabilité et Endurance

Spécification Valeur
Temps moyen entre pannes (MTBF) 2 millions d'heures
Taux d'erreur binaire 1 erreur pour 1017 bits lus
Endurance
  • 480 Go : 936 To
  • 960 Go : 1890 To
  • 1920 Go : 3800 To

NOTE
À propos de l'endurance :

  • Le SSD atteint le MTBF spécifié dans un environnement de fonctionnement conforme à la plage de température opérationnelle spécifiée dans ce manuel. Les températures de fonctionnement sont mesurées par le capteur de température, attribut SMART ID C2h.
  • Indice d'endurance valide pour une durée de vie restante du SSD > 1 % (SMART E7h>1).
  • L'endurance est caractérisée lors de l'exécution de la charge de travail d'entreprise JEDEC (JESD219).

Dimensions et Poids

Tableau 10 Dimensions et Poids

Capacité Poids Longueur Largeur Hauteur
480 Go 9.7g 80 mm ± 0.15mm 22 mm ± 0.15mm 4 mm ± 0.08mm
  • Composant supérieur, max : 1.6mm
  • Composant inférieur, max : 1.6mm
960 Go 10.3g
1920 Go 10.5g

Voir Figures 1-3.
Dimensions - Partie 1
Dimensions - Partie 2

Descriptions des broches et des signaux

Tableau 11 Descriptions des broches

N° de broche Broche PCIe Description
1 GND CONFIG_3=GND
2 3.3V Source 3,3V
3 GND Masse
4 3.3V Source 3,3V
5 PETn3 Signal différentiel PCIe TX défini par la spécification PCI Express M.2
6 N/C Pas de connexion
7 PETp3 Signal différentiel PCIe TX défini par la spécification PCI Express M.2
8 N/C Pas de connexion
9 GND Masse
10 LED1# Signal à drain ouvert, actif bas. Ces signaux sont utilisés pour permettre à la carte d'extension de fournir des indicateurs d'état via des dispositifs LED qui seront fournis par le système.
11 PERn3 Signal différentiel PCIe RX défini par la spécification PCI Express M.2
12 3.3V Source 3,3V
13 PERp3 Signal différentiel PCIe RX défini par la spécification PCI Express M.2
14 3.3V Source 3,3V
15 GND Masse
16 3.3V Source 3,3V
17 PETn2 Signal différentiel PCIe TX défini par la spécification PCI Express M.2
18 3.3V Source 3,3V
19 PETp2 Signal différentiel PCIe TX défini par la spécification PCI Express M.2
20 N/C Pas de connexion
21 GND Masse
22 N/C Pas de connexion
23 PERn2 Signal différentiel PCIe RX défini par la spécification PCI Express M.2
24 N/C Pas de connexion
25 PERp2 Signal différentiel PCIe RX défini par la spécification PCI Express M.2
26 N/C Pas de connexion
27 GND Masse
28 N/C Pas de connexion
29 PETn1 Signal différentiel PCIe TX défini par la spécification PCI Express M.2
30 N/C Pas de connexion
31 PETp1 Signal différentiel PCIe TX défini par la spécification PCI Express M.2
32 N/C Pas de connexion
33 GND Masse
34 N/C Pas de connexion
35 PERn1 Signal différentiel PCIe RX défini par la spécification PCI Express M.2.
36 N/C Pas de connexion
37 PERp1 Signal différentiel PCIe RX défini par la spécification PCI Express M.2.
38 N/C Pas de connexion
39 GND Masse
40 SMB_CLK
(I/O)(0/1.8V)
Horloge SMBus ; Drain ouvert avec résistance de rappel sur la plateforme.
41 PETn0 Signal différentiel PCIe TX défini par la spécification PCI Express M.2.
42 SMB_DATA
(I/O)(0/1.8V)
Données SMBus ; Drain ouvert avec résistance de rappel sur la plateforme.
43 PETp0 Signal différentiel PCIe TX défini par la spécification PCI Express M.2.
44 ALERT#(O) (0/1.8V) Notification d'alerte au maître ; Drain ouvert avec résistance de rappel sur la plateforme ; Actif bas.
45 GND Masse
46 N/C Pas de connexion
47 PERn0 Signal différentiel PCIe RX défini par la spécification PCI Express M.2.
48 N/C Pas de connexion
49 PERp0 Signal différentiel PCIe RX défini par la spécification PCI Express M.2.
50 PERST#(I)(0/3. 3V) PE-Reset est une réinitialisation fonctionnelle de la carte telle que définie par la spécification PCIe Mini CEM.
51 GND Masse
52 CLKREQ#(I/O)
(0/3.3V)
Clock Request est un signal de demande d'horloge de référence tel que défini par la spécification PCIe Mini CEM ; Également utilisé par les sous-états L1 PM.
53 REFCLKn Signaux d'horloge de référence PCIe (100 MHz) définis par la spécification PCI Express M.2.
54 PEWAKE#(I/O) (0/3.3V) Réveil PME PCIe.
Drain ouvert avec résistance de rappel sur la plateforme ; Actif bas.
55 REFCLKp Signaux d'horloge de référence PCIe (100 MHz) définis par la spécification PCI Express M.2.
56 Reserved for MFG DATA Ligne de données de fabrication. Utilisé uniquement pour la fabrication de SSD. Non utilisé en fonctionnement normal. Socket plateforme.
57 GND Masse
58 Reserved for MFG CLOCK Ligne d'horloge de fabrication. Utilisé uniquement pour la fabrication de SSD.
Non utilisé en fonctionnement normal.
Les broches doivent être laissées N/C sur le socket de la plateforme.
59 Module Key
M
Clé de module
60 Module Key
M
61 Module Key
M
62 Module Key
M
63 Module Key
M
64 Module Key
M
65 Module Key
M
66 Module Key
M
67 N/C Pas de connexion
68 SUSCLK(32KHz) (I)(0/3.3V) Entrée d'horloge d'alimentation 32,768 kHz fournie par le chipset de la plateforme pour réduire la consommation d'énergie et le coût du module.
69 N/C PEDET (NC-PCIe)
70 3.3V Source 3,3V
71 GND Masse
72 3.3V Source 3,3V
73 GND Masse
74 3.3V Source 3,3V
75 GNDZD Masse

Prise en charge SMART

Le SSD Nytro 4350 prend en charge l'ensemble de commandes SMART.

ID SMART
Le tableau suivant répertorie les ID SMART et leurs descriptions.
Tableau 12 Attributs SMART (Identifiant de journal 02h)

Index d'octets Octets Description
[0] 1 Avertissement critique
[2:1] 2 Température composite
[3] 1 Réserve disponible
[4] 1 Seuil de réserve disponible
[5] 1 Pourcentage utilisé
[31:6] 26 Réservé
[47:32] 16 Unités de données lues
[63:48] 16 Unités de données écrites
[79:64] 16 Commandes de lecture de l'hôte
[95:80] 16 Commandes d'écriture de l'hôte
[111:96] 16 Temps d'occupation du contrôleur
[127:112] 16 Cycles de mise sous tension
[143:128] 16 Heures de fonctionnement
[159:144] 16 Arrêts non sécurisés
[175:160] 16 Erreurs d'intégrité des médias et des données
[191:176] 16 Nombre d'entrées de journal d'informations d'erreur
[195:192] 4 Temps de température composite d'avertissement
[199:196] 4 Temps de température composite critique
[201:200] 2 Capteur de température 1 (Température actuelle)
[203:202] 2 Capteur de température 2 (N/A)
[205:204] 2 Capteur de température 3 (N/A)
[207:206] 2 Capteur de température 4 (N/A)
[209:208] 2 Capteur de température 5 (N/A)
[211:210] 2 Capteur de température 6 (N/A)
[213:212] 2 Capteur de température 7 (N/A)
[215:214] 2 Capteur de température 8 (N/A)
[511:216] 296 Réservé

REMARQUE
(Facultatif) Informations contextuelles pour l'identifiant de journal 02h :

  • Avertissement critique [Octet 0]. Ce champ indique les avertissements critiques concernant l'état du contrôleur.
    Bit#0 : La réserve disponible est inférieure au seuil
    Bit#1 : La température a dépassé le seuil ou est inférieure à un seuil de sous-température
    Bit#2 : La fiabilité est dégradée en raison d'erreurs excessives de support ou internes
    Bit#3 : Le support est en mode lecture seule
    Bit#4 : Le dispositif de sauvegarde de la mémoire volatile a échoué
    Bit#5 - Bit#7 : Réservé
  • Réserve disponible [Octet 3]. Cette valeur (pourcentage) = 100 * [(VB total réservé - VB consommé en raison de défauts précoces ou ultérieurs) / VB total réservé]
  • Pourcentage utilisé [Octet 5]. Cette valeur (pourcentage) = 100 * (nombre total d'effacements VB / cycle PE pour le VB total).

Détails des fonctionnalités

Gestion de la mémoire Flash

Code de correction d'erreur

Les cellules de mémoire Flash se détériorent à l'usage. Cela peut générer des erreurs de bits aléatoires dans les données stockées. Le SSD Nytro 4350 applique l'algorithme ECC LDPC pour détecter et corriger les erreurs survenant pendant le processus de lecture, afin de s'assurer que le SSD lit correctement et de protéger les données contre la corruption.

Équilibrage de l'usure

Les périphériques Flash NAND ne peuvent subir qu'un nombre limité de cycles de programme/effacement. Généralement, le SSD n'utilise pas les zones du média Flash de manière uniforme. Si le SSD met à jour certaines zones plus fréquemment que d'autres, cela réduit la durée de vie du périphérique. L'équilibrage de l'usure prolonge la durée de vie de la mémoire Flash NAND en distribuant uniformément les cycles d'écriture et d'effacement sur l'ensemble du média.
L'algorithme avancé d'équilibrage de l'usure de Seagate répartit l'utilisation de la mémoire Flash sur toute la zone du média Flash. La mise en œuvre d'algorithmes dynamiques et statiques d'équilibrage de l'usure améliore la durée de vie de la mémoire Flash NAND.

Gestion des blocs défectueux

Les blocs défectueux ne fonctionnent pas correctement et peuvent contenir plus de bits invalides. Cela peut rendre les données stockées instables et la fiabilité des blocs défectueux n'est pas garantie. Les blocs identifiés et marqués comme défectueux par le fabricant sont appelés "Early Bad Blocks" (blocs défectueux précoces). Les blocs défectueux qui se développent pendant la durée de vie de la mémoire Flash sont appelés "Later Bad Blocks" (blocs défectueux tardifs). L'algorithme de gestion des blocs défectueux de Seagate détecte les blocs défectueux produits en usine et gère les blocs défectueux qui apparaissent à l'usage. Cette pratique empêche le lecteur de stocker des données dans des blocs défectueux et améliore la fiabilité des données.

TRIM

La fonctionnalité TRIM améliore les performances et la vitesse de lecture/écriture des SSD. Les SSD ne peuvent pas écraser les données existantes, de sorte que l'espace disponible diminue à chaque utilisation de bloc de données. La commande TRIM s'exécute au sein du système d'exploitation pour indiquer au SSD quels blocs de données peuvent être supprimés définitivement car ils ne sont plus utilisés. Le SSD efface ces blocs de données inutilisés.

SMART

SMART signifie Self-Monitoring, Analysis, and Reporting Technology (Technologie d'auto-surveillance, d'analyse et de rapport). SMART est une norme ouverte qui permet à un SSD de détecter automatiquement son état de santé et de signaler les défaillances potentielles. Lorsque SMART enregistre une défaillance, les utilisateurs peuvent remplacer le SSD pour éviter une panne inattendue ou une perte de données. SMART peut également informer les utilisateurs des défaillances imminentes tant qu'il est encore temps de copier les données vers un autre périphérique.

Surprovisionnement

Le surprovisionnement (OP) préserve une zone supplémentaire au-delà de la capacité utilisateur dans un SSD, qui n'est pas visible pour les utilisateurs et ne peut pas être utilisée par eux. L'OP améliore les performances et les IOPS (opérations d'entrée/sortie par seconde) en offrant au contrôleur un espace supplémentaire pour gérer les cycles P/E. L'OP améliore également la fiabilité et l'endurance. De plus, l'amplification d'écriture du SSD diminue lorsque le contrôleur écrit des données sur la mémoire Flash.

Mise à niveau du firmware

Le firmware fournit un ensemble d'instructions sur la façon dont le périphérique communique avec l'hôte. Les mises à niveau du firmware sont généralement disponibles avec des fonctionnalités ajoutées, des problèmes de compatibilité résolus et des performances de lecture/écriture améliorées.

Limitation thermique

La limitation thermique empêche les composants d'un SSD de surchauffer pendant les opérations de lecture et d'écriture. La conception du SSD Nytro 4350 intègre un capteur thermique sur puce et sur carte. Grâce à cette précision, le firmware peut appliquer différents niveaux de limitation pour protéger efficacement et de manière proactive via la lecture SMART.

Tableau 13 Version actuelle : Limitation thermique 2.0

Élément Contenu
Température rapportée par Smart Température normalisée du boîtier Flash
Référence de la lecture de temp. Capteur thermique embarqué, capteur thermique sur puce du contrôleur
Seuil tmt1 76°C selon le rapport Smart
Seuil tmt2 79°C selon le rapport Smart
Seuil de protection du contrôleur 115°C à partir du capteur thermique sur puce
Seuil fatal 120°C à partir du capteur thermique sur puce
Seuil de reprise des performances 72°C selon le rapport Smart
Fréquence d'interrogation de la température Toutes les 1 seconde
Impact de l'état TMT1 ±10% CE
Impact de l'état TMT2 -20% CE

Plusieurs espaces de noms

Un espace de noms NVMe est une quantité de mémoire non volatile (NVM) qui peut être formatée en blocs logiques.
Les espaces de noms sont utilisés lorsqu'une machine virtuelle de stockage est configurée avec le protocole NVMe. Le SSD Nytro 4350 prend en charge jusqu'à 16 espaces de noms pour une plus grande flexibilité de déploiement.

Collecte des déchets

La collecte des déchets alloue et libère de la mémoire pour accélérer le traitement lecture/écriture et améliorer les performances. Lorsqu'il y a moins d'espace disponible, le SSD ralentit le traitement lecture/écriture et met en œuvre la collecte des déchets pour libérer de la mémoire.

Fonctionnalités de sécurité avancées du périphérique

Effacement sécurisé

Secure Erase (effacement sécurisé) est une commande de formatage NVMe standard qui écrit des "0x00" sur l'ensemble du disque pour effacer complètement toutes les données des disques durs et des SSD. Lorsque cette commande est émise, le contrôleur SSD efface ses blocs de stockage et revient à ses paramètres d'usine par défaut.

PSID de présence physique

Le TCG définit le PSID (Physical Presence SID) comme une chaîne de 32 caractères. Le PSID rétablit les paramètres d'usine du SSD lorsque le SSD est configuré via TCG Pyrite (non-SED). Le code PSID est imprimé sur l'étiquette du SSD. Le PSID efface toutes les données lors de la restauration du SSD aux paramètres d'usine.

Désinfection

La fonctionnalité Sanitize (désinfection) utilise la commande Format NVM pour offrir une alternative aux capacités d'effacement sécurisé existantes. Cette fonctionnalité assure une sécurité des données robuste en veillant à ce que les données utilisateur du média SSD, des caches et du tampon mémoire du contrôleur soient effacées par des opérations d'effacement de bloc, l'écrasement ou la destruction de la clé de chiffrement. Le tableau suivant présente les types d'opérations de désinfection pris en charge.

Tableau 14 Opérations de désinfection

Type de sécurité SSD Opération de désinfection Commandes TCG
Écrasement Effacement de bloc Effacement cryptographique Processus de restauration PSID Effacement de sécurité instantané
Non-SED (TCG Pyrite) Oui Oui Non Oui Non

REMARQUE
La commande Sanitize Overwrite
(désinfection par écrasement) efface toutes les données du disque au-delà de tout effort de récupération réalisable. L'opération prend au moins une heure par téraoctet et par passe. Le nombre de passes est sélectionnable par le lecteur. La spécification NVMe par défaut est de 16 passes. Contactez le support Seagate pour plus d'informations.

Gestion de la durée de vie du SSD

Écritures par jour (DWPD) La spécification Total Bytes Written (TBW) d'un SSD calcule le nombre de fois où vous pouvez écrire la capacité utilisateur d'un SSD par jour pendant la période de garantie (ou un nombre d'années différent), en se basant sur la charge de travail JEDEC utilisée pour spécifier le TBW.
DWPD = (TBW d'un SSD x 1024) / (Jours de garantie x Taille du SSD en Go)

Le TBW mesure la durée de vie du SSD. Cette mesure représente la quantité de données écrites sur le périphérique. Pour calculer le TBW d'un SSD, utilisez l'équation suivante :
TBW = [(Endurance NAND) x (Capacité SSD)] / [WAF]

Endurance NAND : L'endurance NAND fait référence au cycle P/E (Programme/Effacement) d'une mémoire Flash NAND.

Capacité SSD : La capacité SSD est la capacité spécifique totale d'un SSD.

WAF : Le facteur d'amplification d'écriture (WAF) est une valeur numérique. Cette valeur représente le rapport entre la quantité de données qu'un contrôleur SSD doit écrire et la quantité de données que le contrôleur Flash de l'hôte écrit. Un WAF proche de 1 garantit une meilleure endurance et une fréquence plus faible d'écriture de données sur la mémoire Flash.
Le TBW dans ce document est basé sur la charge de travail JEDEC 218/219.

Indicateur d'usure du média

L'attribut SMART index d'octet [5], Pourcentage utilisé, indique l'indicateur de durée de vie réelle. Remplacez le SSD lorsque ce nombre atteint 100 %.

Mode lecture seule

(Fin de vie)
Lorsque les cycles de programme/effacement vieillissent le SSD, l'usure du média peut entraîner un nombre croissant de blocs défectueux. Lorsque le nombre de bons blocs utilisables est inférieur au seuil (5 %, ID de journal d'attribut SMART 02h Byte4), le SSD notifie l'hôte via un événement AER et un avertissement critique pour passer en mode lecture seule afin d'éviter toute corruption supplémentaire des données. Si cela se produit, remplacez le SSD immédiatement.

Approche adaptative pour l'optimisation des performances

Prédire et récupérer

Lorsque l'hôte tente de lire des données du SSD, le SSD n'effectue qu'une seule action de lecture après avoir reçu une commande. Cependant, le SSD Nytro 4350 applique la fonction Predict and Fetch pour améliorer la vitesse de lecture. Lorsque l'hôte émet des commandes de lecture séquentielles au SSD, le SSD s'attend à ce que les commandes suivantes soient également des commandes de lecture. Par conséquent, avant de recevoir la commande suivante, la mémoire Flash a préparé les données. Cela accélère le temps de traitement des données, et l'hôte a moins de temps d'attente pour recevoir les données.

Débit

En fonction de l'espace disponible sur le SSD, le SSD Nytro 4350 régule la vitesse de lecture/écriture et gère les performances de débit. Lorsque le SSD dispose de plus d'espace, le firmware effectue en continu des actions de lecture/écriture. Lorsque le SSD dispose de moins d'espace disponible, il ralentit le traitement lecture/écriture et met en œuvre la collecte des déchets pour libérer de la mémoire.

Précautions d'installation

Précautions de manipulation

De nombreux composants sont assemblés sur un seul périphérique SSD. Veuillez manipuler le lecteur avec précaution, surtout s'il contient des composants WLCSP (Wafer Level Chip Scale Packaging) tels que PMIC, capteur thermique ou interrupteur de charge. Le WLCSP est l'une des technologies d'emballage largement adoptées pour réduire l'encombrement, mais tout choc ou rayure peut endommager ces pièces ultra-petites, une manipulation douce est donc fortement recommandée.

avertissement
NE PAS FAIRE TOMBER LE SSD
INSTALLER LE SSD AVEC SOIN
CONSERVER LE SSD DANS UN EMBALLAGE APPROPRIÉ

Précautions d'assemblage

Le SSD M.2 à clé M (Figure 1) est uniquement compatible avec la douille à clé M (Figure 2). Comme illustré dans le cas d'utilisation 2, une mauvaise utilisation peut causer des dommages graves au SSD, y compris des brûlures.
Précautions d'assemblage du socket à clé M

Seagate Technology LLC
AMÉRIQUES
Seagate Technology LLC 47488 Kato Road, Fremont, California 94538, United States, 510-661-1000

ASIE/PACIFIQUE
Seagate Singapore International Headquarters Pte. Ltd. 7000 Ang Mo Kio Avenue 5, Singapore 569877, 65-6485-3888

EUROPE, MOYEN-ORIENT ET AFRIQUE
Seagate Technology Netherlands BV, Tupolevlaan, 105, 119 PA Schipol-Rijk. the Netherlands

Références

Télécharger le manuel

Ici, vous pouvez télécharger la version PDF complète du manuel. Elle peut contenir des instructions de sécurité supplémentaires, des informations de garantie, des règles de la FCC, etc.

Télécharger Manuel du Seagate Nytro 4350

Les langues disponibles

Table des Matières