MSI P45 Neo3 V2 Serie Mode D'emploi page 111

Carte mère M S-7514
Advance DRAM Configuration
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MEMORY-Z
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DIM M1~4 Memory SPD Infromation
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DIM M1~4 Memory SPD Infromation
Ces articles montrent le statut actuel de l'information de la vitesse de la
mémoire DIMM, tels que le type de la mémoire, max bandwidth, la fabrication,
le numéro de la partie, le numéro sérial, le temps du cycle SDRAM, DRAM
TCL, DRAM TRCD, DRAM TRP, DRAM TRAS, DRAM TRFC, DRAM TW R,
DRAM TWTR, DRAM TRRD et DRAM TRTP. Lecture uniquement.
CAS# Latency (CL)
Cela contrôle le latence CAS, qui détermine le retard de timing (dans les
cycles d'horloge) avant que le SDRAM commence un ordre de lecture après
l'avoir reçu.
tRCD
Quand le DRAM est rafraîchi, les rangs et les colonnes sont tous adressés
séparément. Cet article vous permet de déterminer le timing de la transition de
RAS (row address strobe) à CAS (column address strobe). Le moins
fonctionne l'horloge, le plus vite est la performance de DRAM.
tRP
Cet article contrôle le numéro de cycles pour que le Row Address Strobe (RAS)
soit permit de précharger. S'il n'y a pas assez de temps pour que le RAS accumule
son charge avant le refraîchissement de DRAM, le refraîchissement peut être
incomplet et le DRAM peut échouer à retenir les données.Cet article applique
seulement quand le DRAM synchrone est installé dans le système.
tRAS
Cet article détermine le temps que le RAS prend pour lire ou écrire sur une cellule
de mémoire.
1N/2N M emory Timing
Cet article contrôle le taux d'ordre du SDRAM. La sélection en [1N] fait fonctionner
en taux de 1N (N=cycles d'horloge) au contrôleur du signaux du SDRAM. La
sélection en [2N] fait fonctionner en taux de 2N au contrôleur du signaux du
SDRAM.
Fr-32