Al2-4Eyt Transistor-Ausgangsverdrahtung (Nur Source ) - Mitsubishi Electric Al2 Série Manuel Du Propriétaire Du Matériel

α
-
2 Steuerung
4.6.3 AL2-4EYT Transistor-Ausgangsverdrahtung (nur Source <gemeinsamer „+"-Pol>)
Abbildung 4.11: AL2-4EYT Transistor-Ausgangsverdrahtung
Tabelle 4.13: Transistor-Ausgangsverdrahtung
Nr.
DC-Spannungsversorgung für Ausgänge, 24 V DC
NOT-AUS-Schalter
Schaltkreis-Schutzgerät (siehe Table 4.14)
Ausgangsklemmen
Ausgangsgeräte
DC-Spannungsversorgung für Ausgänge, 12 V DC
Tabelle 4.14: Schaltkreis-Schutz für Transistor-Ausgänge
Spannung
5V DC
12V DC
24V DC
*1 Belastbarkeit der Spannungsquelle ≥ Sicherungsstärke × 2
Abbildung 4.12: Beispielberechnung der Sicherungsstärke
12V, 8A
(8A ≥ 1A × 2 × 4)
Anmerkung:
Tabelle 4.15: Hinweise zur Ausgangsklemme
Volt
5 Alle Ausgangsklemmen können in einem Schaltkreis verdrahtet werden.
12-24 Alle Ausgangsklemmen können in einem Schaltkreis verdrahtet werden.
5,12, 24 Für jeden der drei Spannungsbereiche muss ein separater Schaltkreis realisiert werden.
(nur Source <gemeinsamer „+"-Pol>)
- EO1 EO2 + - EO3 EO4
+
< 0,3 A (Schaltkreis)
< 2,0 A (Schaltkreis)
< 2,0 A (Schaltkreis)
Fuse Fuse
1A 1A
O01 O02 O03
Hinweise zur Ausgangsklemme
Beschreibung
Schaltkreisschutz (Sicherung)
*1
*1
Fuse Fuse
1A 1A
O04
Verdrahtung 4
GER
GER-27