Exemples De Configurations De Mémoire - Dell PowerEdge M420 Manuel Du Propriétaire
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Voir aussi pour PowerEdge M420:
- Guide de mise en route (13 pages) ,
- Guide de mise en route (13 pages)
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Memory Mirroring (Mise en miroir de la mémoire)
La mise en miroir de la mémoire offre le mode disposant de la plus forte fiabilité des barrettes DIMM
comparativement aux autres modes. En effet, il offre une protection contre les incidents non corrigeables
sur plusieurs bits. Dans une configuration mise en miroir, la mémoire système totale disponible
correspond à la moitié du total de la mémoire physique installée. La moitié de la mémoire installée est
utilisée pour mettre en miroir les barrettes DIMM actives. Dans le cas d'une erreur non corrigeable, le
système bascule sur la copie mise en miroir. Cela garantie la SDDC et la protection sur plusieurs bits.
Consignes d'installation de la mémoire pour prendre en charge la mise en miroir de la mémoire :
•
Le canal de mémoire 1 (supports de barrette de mémoire A1 et B1) est désactivé dans ce mode.
•
Les canaux de mémoire 2 et 3 doivent être utilisés.
•
Seules les barrettes de mémoire DIMM à quatre rangées sont prises en charge.
•
Les barrettes de mémoire DIMM doivent être de taille, de vitesse et de technologie identiques.
Exemples de configurations de mémoire
Les tableaux suivants présentent des exemples de configuration de mémoire conformes aux consignes
énoncées dans cette section.
REMARQUE : Les barrettes RDIMM à quatre rangées de 16 Go ne sont pas prises en charge.
REMARQUE : Dans les tableaux suivants, 1R, 2R et 4R font référence respectivement à des barrettes
de mémoire DIMM à simple, double et quadruple rangée de connexions.
Tableau 1. Configurations de la mémoire – Monoprocesseur
Capacité du
Taille des
système (en Go)
barrettes de
mémoire
DIMM (en Go)
2
2
4
2
6
2
12
4
24
8
48
16
96
32
Nombre de
Organisation et
barrettes de
vitesse
mémoire
DIMM
1R x8, 1 333 MT/s
1
1R x8, 1 333 MT/s
2
1R x8, 1 333 MT/s
3
1R x4, 1 333 MT/s
3
2R x8, 1 333 MT/s
2R x8, 1 600 MT/s
2R x4, 1 333 MT/s
3
2R x4, 1 600 MT/s
2R x4, 1 333 MT/s
3
2R x4, 1 600 MT/s
4R x4, 1333 MT/s
3
Remplissage des logements de
barrettes de mémoire DIMM
A1
A1, A2
A1, A2, A3
A1, A2, A3
A1, A2, A3
A1, A2, A3
A1, A2, A3
53
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