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Hoggan Scientific MicroFET 3 Guide De L'utilisateur page 27

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TABLEAU 3 : Déclaration du fabricant – Immunité électromagnétique
Le microFET®3 est destiné à être utilisé dans l'environnement électromagnétique
spécifié ci-dessous. Le client ou l'utilisateur du microFET®3 doit s'assurer de son
utilisation dans un tel environnement.
Test d'immunité
RF rayonnée
CEI 61000-4-3
REMARQUE 1 : À 80 MHz et 800 MHz, c'est la gamme de fréquences la plus élevée qui
s'applique.
REMARQUE 2 : Ces directives ne s'appliquent pas forcément à toutes les situations.
La propagation électromagnétique est affectée par l'absorption et la réflexion des
structures, des objets et des personnes.
IFU 02.FR.A ECO-0835
Niveau de test
CEI 60601
conformité
3 V/m
80 MHz
à 2,5 GHz
(80 % AM,
1 kHz)
Niveau de
Environnement électromagnétique
Les équipements de communication
RF portables et mobiles ne doivent
pas être utilisés plus près d'une
partie du microFET®3, même d'un
câble, que la distance de séparation
recommandée calculée à partir de
l'équation correspondant à la
fréquence de l'émetteur.
Distance de séparation
recommandée
Pour 80 MHz
���� = 1,17√����
à 800 MHz
Où P est la puissance de sortie
3 V/m
maximale de l'émetteur en watts
(W) selon le fabricant de l'émetteur
et d est la distance de séparation
recommandée en mètres (m).
Les intensités de champ des émet-
teurs RF fixes, déterminées par une
étude électromagnétique du site
doivent être inférieures au niveau
de conformité dans chaque gamme
de fréquence
peuvent se produire à proximité des
équipements portant le symbole
suivant :
– Directives
Pour 800 MHz
���� = 2,33√����
à 2,3 GHz
. Des interférences
b
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,
a

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