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• L'installation ou le retrait de barrettes DIMM modifie les informations de configuration du nœud. Au
redémarrage du nœud, un message indique que la configuration de la mémoire a changé. Vous pouvez
utiliser l'utilitaire Setup Utility pour afficher les informations de configuration du nœud. Pour plus
d'informations, voir le Guide de configuration du Plateaux ThinkSystem SD650 V2/SD650-N V2 Neptune
DWC et Boîtier DW612 Neptune DWC.
• Installez d'abord les barrettes DIMM de capacité supérieure (à rangs), en suivant la séquence de
peuplement correspondant au mode mémoire utilisé.
• Le plateau prend uniquement en charge les barrettes UDIMM ou SDRAM DDR4 standard à 2 933 MT/s,
PC4-21300 (à un ou deux rangs), avec code correcteur d'erreurs (ECC).
• Vous ne pouvez pas combiner des barrettes RDIMM et LRDIMM dans le même nœud de traitement.
• La vitesse de traitement maximum du nœud est déterminée par la barrette DIMM la plus lente.
• Les barrettes que vous installez dans les connecteurs DIMM 1 et 3 doivent être de taille et de vitesse
identiques. Cependant, elles ne doivent pas obligatoirement être de taille et de vitesse identiques aux
barrettes installées dans les connecteurs DIMM 2 et 4.
• Vous pouvez installer une paire de barrettes DIMM composée de barrettes compatibles de constructeurs
différents.
• Les spécifications d'une barrette DIMM DDR4 sont notées sur une étiquette située sur la barrette, au
format suivant.
• gggGBpheRxff PC4-wwwwaa-mccd-bb
où :
– gggGB est la capacité totale, en gigaoctets, du bus principal (ECC non comptabilisé) 4 Go, 8 Go,
16 Go, etc. (aucun espace entre les chiffres et les unités)
– pheR est le nombre de rangs de module mémoire installés et le nombre de rangs logiques par rang de
module
– p =
• 1 = 1 rang de barrettes SDRAMs installées
• 2 = 2 rangs de barrettes SDRAMs installées
• 3 = 3 rangs de barrettes SDRAMs installées
• 4 = 4 rangs de barrettes SDRAMs installées
– he = vide pour les barrettes DRAM anciennes, sinon pour les modules utilisant des barrettes DRAM
empilées :
• h = type de module DRAM
– D = empilage DRAM à chargement multiple (DDP)
– Q = empilage DRAM à chargement multiple (QDP)
– S = empilage DRAM à chargement unique (3DS)
• e = vide pour SDP, DDP et QDP, autre pour les modules utilisant des piles 3DS, des rangs
logiques par rang de module
– 2 = 2 rangs logiques dans chaque rang de module
– 4 = 4 rangs logiques dans chaque rang de module
– 8 = 8 rangs logiques dans chaque rang de module
– R = rang(s)
– xff = organisation du périphérique (largeur de bit d'informations) des SDRAM utilisés sur ce module
• x4 = organisation x4 (4 lignes DQ par SDRAM)
.
Chapitre 3
Configuration matérielle de la solution
43
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