Memoire Interne , Blocs; Position De Declenchement - SEFRAM DAS20 Manuel D'utilisation

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8.3.
Mémoire interne, blocs
La mémoire disponible sur l'enregistreur est segmentable en blocs qui sont remplis successivement
lors de chaque acquisition.
La profondeur d‟acquisition vaut N / (B * V)
N= mémoire total
B = nombre de bloc
V = nombre de voie à acquérir
Exemple: mémoire 32 Mmots , 16 blocs et 3 voies 'ON' on aura alors
Toute nouvelle acquisition se place automatiquement dans le premier bloc libre (dans le sens
croissant).
Lorsque tous les blocs sont occupés, une nouvelle acquisition provoque le décalage des blocs
précédents bloc N dans le bloc N-1 ; le 1
La nouvelle acquisition prendra alors la place du dernier bloc.
8.4.
Position de déclenchement
L‟acquisition dans un bloc mémoire est basée sur le principe de la « mémoire tournante » :
la mémoire se rempli à partir de la condition de départ
la mémoire se rempli tant que la condition d‟arrêt n‟est pas valide ; si la mémoire vient à
être pleine, le remplissage repart du début de la zone mémoire (bloc)
Le bloc mémoire contient donc toujours les N derniers échantillons.
L'opérateur a la possibilité de choisir le moment ou les échantillons présents en mémoire vont être
figés; pour cela, il définit un retard séparant l'instant du déclenchement du début de la mise en
mémoire effective.
Ce délai pouvant être positif ou négatif, les échantillons mémorisés peuvent donc se situer soit
avant, soit après, soit de part et d'autre de l'instant de déclenchement.
On peut également ne pas inhiber le déclencheur : ceci permet de tester malgré tout le déclencheur
pendant la phase de pré déclenchement au cas où le déclencheur arriverait avant la fin de cette
phase.
En cas de signaux répétitif, on inhibe alors le déclencheur .
Mise en mémoire avec un retard de -50%
Par rapport au début de la mémoire
N = 32 554 432 / (16 * 3)= 699 050 mots /voies.
er
bloc sera alors perdu.
Mise en mémoire avec un retard de +50%
par rapport au début de la mémoire
Mode Mémoire
Page 8.3

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