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Infineon DD710N16K Informations Techniques page 8

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Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
3500
0,005
0,010
3000
0,015
2500
0,020
0,030
2000
0,040
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1500
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0,075
1000
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0,300
0,300
0
0
20
40
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient R
4000
0,020
0,016
0,025
3500
0,030
3000
0,035
2500
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0,050
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0,300
0,300
0
0
20
40
0,30
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient R
Date of Publication 2017-07-13
Technische Information /
technical information
DD710N16K
B2
R
[K/W]
thCA
~
60
80
100
120
T
[°C]
A
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I
B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P
B6
R
[K/W]
thCA
3~
60
80
100
120
T
[°C]
A
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I
B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P
I
D
+
-
140
0
500
Parameter:
I
D
+
-
140
0
500
Parameter:
Revision 3.3
R-Last
L-Last
1000
1500
I
[A]
D
D
tot
thCA
1000
1500
I
[A]
D
D
tot
thCA
Seite/page
2000
8/10

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