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Atlas DCA Pro - Manuel de l'utilisateur
Transistors bipolaire à grille isolée (IGBT)
IGBT est un acronyme pour Insulated Gate Bipolar
Transistor (Transistor bipolaire à grille isolée).
Il combine les caractéristiques d'entrée d'un MOSFET
avec les caractéristiques de sortie d'un transistor à
jonction bipolaire.
Les IGBT sont disponibles en canal N ou en canal P, à enrichissement ou a
appauvrissement et avec ou sans diode de roue libre.
En général leur fonctionnement est très similaire à celui des MOSFET. La
tension de saturation d'un IGBT est souvent meilleure que celle d'un MOSFET
de taille équivalente et à fort courant; et inversement avec un courant faible.
Dans cet exemple, nous avons un
IGBT Canal-N à enrichissement avec
une diode de roue libre intégrée.
Notez les noms des électrodes; Grille,
Collecteur et Emetteur.
Comme pour l'analyse des MOSFET, la tension de seuil de grille est la tension
présente entre le couple grille-émetteur, ce qui amène le transistor à conduire
(entre collecteur et émetteur). L'analyseur DCA Pro indique que la conduction
a commencé si le courant de collecteur atteint 5mA.
L'analyseur DCA Pro est en mesure de porter la tension de grille de 0 à 10V
pour les IGBT à enrichissement.
(Symbole IGBT basé sur EN60617: 05-05-19)
N-Ch Enhancement
mode IGBT
Red-G Green-C Blue-E
Gate threshold
V GE (on)=5.778V
at I C =5.00mA
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Décembre 2015 – Rev 1.4
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