Semiconducteurs Défectueux; Transistors À Effet De Champ - RME AS4002P Manuel D'utilisation

3.2 Semiconducteurs défectueux
Un transistor défectueux aura souvent
une ou deux jonctions en court-circuit.
L'analyseur reconnaît les broches
concernées et affiche la résistance de
court-circuit mesurée.
Veuillez noter que l'analyseur
résistance mesurée entre deux bornes est inférieure à 50Ω. La résistance est
mesurée en faisant circuler le courant dans les deux sens. La valeur de la
résistance ne doit pas être influencée par la troisième borne. Le courant de test
utilisé pour la mesure de la résistance est de l'ordre de 12mA.
3.3 Transistors à effet de champ à jonction (JFET)
Lorsque la tension drain-source est faible, le transistor se comporte comme une résistance variable
dont la valeur dépend de la tension grille-source. Une valeur particulière est obtenue lorsque la
tension grille-source est nulle : c'est la résistance R
A l'inverse des MOSFET les JFET n'ont pas de couche isolante sur la grille. Lorsque le transistor
est normalement polarisé il y a un très faible courant de grille, mais un courant important peut
circuler dans la grille si la jonction est polarisée dans le sens direct.
Contrairement aux autres testeurs de semiconducteurs, l'analyseur utilise une
méthode originale permettant la détermination des paramètres V
La structure interne des JFETs est essentiellement symétrique par rapport à la
grille, ce qui signifie que le drain et la source ne sont pas distinguables par
l'analyseur. Cependant l'analyseur affichera la position du drain et de la source
conformément à la configuration utilisée lors de la mesure des paramètres. La
permutation du drain et de la source du transistor ne changera pas le brochage
affiché, mais les paramètres seront recalculés en tenant compte de cette nouvelle
configuration. Ainsi il devient possible de vérifier la symétrie du transistor en
comparant les valeurs pour les deux configurations. Les trois paramètres sont
affichés successivement toutes les quatre secondes environ.
AS4002P
Avec une tension grille-source nulle un courant de drain est
lorsqu'une tension est appliquée entre le drain et la source. Ce courant
symbolisé par le symbole I
drain est modulé en appliquant une tension entre la grille et la source. Les
transistors canal N nécessitent une tension grille-source négative, plus celle-
ci est négative plus le courant de drain diminue. Lorsque la tension grille-
source devient inférieure à la tension de seuil du transistor V
drain devient nul. Les transistors à canal P ont un fonctionnement similaire
mis à part que leurs tensions de seuil sont positives.
AS4002P, manuel d'utilisation
détermine un court-circuit si la
est appelé courant de saturation. Le courant de
DSS
.
DSON
7
présent
le courant de
TO
, I et R .
TO DSS DSON