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Tableau VI. Spécifications de la série PE-B pour les moniteurs Gentec-EO
Détecteur
Compatibilité avec
moniteur
Absorbeur
Domaine spectral
Sensibilité typique
Temps de montée
(0 à 100 %)
Taux de répétition
max.
Largeur d'impulsion
max.
Énergie mesurable
maximale
Densité d'énergie
maximale
Densité de puissance
moyenne max.
Énergie équivalente
g
au bruit(NEE)
Incertitude
Ouverture effective
Zone active
Dimensions
Poids
Dependence à la
position du faisceau
h
La photodiode est étalonnée à une longueur d'onde et corrigée spectralement selon une courbe type.
g
Pour les mesures de faible énergie, la photodiode doit être protégée de la lumière ambiante et
idéalement utilisée dans la noirceur.
Série PH Guide de l'utilisateur
Version 2.7
PE10B-Si
Silicone UV
210 à 1 080 nm
30 MV/J à 634 nm
30 µs
1 000 Hz
10 µs
M-Link : 0.075 µJ
S-Link : 0.081 µJ
Integra : 0.081 uJ
Maestro : 0.069 µJ
(@ 634nm)
2
5 µJ/cm
2
65 mW/cm
(à 532 nm)
1,5 pJ à 634 nm
210 à 219 nm : ±8,0 %
220 à 399 nm : ±6,5 %
400 à 899 nm : ±2,5 %
900 à 999 nm : ±3,5 %
1 000 à 1 049 nm :
±5,0 %
1 050 à 1 080 nm :
±7,0 %
Ø 10 mm
2
0,9 cm
±1 % à 652 nm
±3 % à 1 064 nm
PE5B-Ge
Maestro, M-Link, S-Link
Germanium
800 à 1 650 nm
210 à 1 080 nm
1 GV/J à 1 310 nm
100 GV/J à 634 nm
25 µs
1 000 Hz
10 µs
M-Link : 2.2 nJ
S-Link : 2.4 nJ
Integra : 2.4 nJ
Maestro : 2.0 nJ
Maestro : 20 pJ
(@ 1310 nm)
2
5 µJ/cm
2
<320 mW/cm
(à 1 064 nm)
1 pJ à 1 310 nm
800 à 1 650 nm :
±4 % seulement à
±3,5 %
Ø 5 mm
2
0,2 cm
38,1 mm Ø x 27,4 Dmm
91 g
±1 % à 1 064 nm
±3 % à 800 nm
Gentec Electro-Optics Inc. Tous droits réservés
PE3B-Si
Silicone UV
h
900 à 1 700 nm
10 GV/J à 1 310 nm
15 µs
1 000 Hz
10 µs
M-Link : 22 pJ
M-Link : 223 pJ
S-Link : 24 pJ
S-Link : 245 pJ
Integra : 24 pJ
Integra : 245pJ
Maestro : 200 pJ
(@ 634 nm)
(@ 1310 nm)
s.o.
s.o.
8 fJ à 634 nm
30 fJ à 1 310 nm
±4 % seulement à
634 nm
Ø 3 mm
2
0,07 cm
s.o.
10
PE3B-In
InGaAs
h
12 µs
1 000 Hz
10 µs
s.o.
s.o.
1 310 nm
Ø 3 mm
2
0,07 cm
s.o.
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